Дунаев А.В.

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ПЛАЗМЫ СМЕСЕЙ ХЛОРОВОДОРОД - АРГОН, - ХЛОР, - ВОДОРОД С АРСЕНИДОМ ГАЛЛИЯ

Проведено исследование плазмохимического травления GaAs в смесях
HCl-Ar, HCl-Cl2 и HCl-H2 в условиях тлеющего разряда
постоянного тока. Показано, что скорость травления GaAs при разбавлении HCl
аргоном и водородом уменьшается быстрее, чем концентрация атомов хлора. В
смесях HCl-Cl2 скорость травления проходит через максимум при
содержании хлора порядка 75%. На возрастающем участке кривой скорость травления
пропорциональна потоку атомов хлора, а после прохождения максимума лимитирующей

2014, Т. 57, № 8, Стр. 44-47

ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НА СКОРОСТЬ ТРАВЛЕНИЯ И КАЧЕСТВО ПОВЕРХНОСТИ GaAs ПРИ ОБРАБОТКЕ В ПЛАЗМЕ HCl-Ar, HCl-Cl2, HCl-H2

Проведено исследование влияния температуры на скорость травления
GaAs в смесях HCl/Ar, HCl/H2, HCl/Cl2. Найдены
эффективные энергии активации процесса травления в смесях HCl/Ar, HCl/H2,
HCl/Cl2. Значения энергий активации для всех газовых сред характерны
для реакций, лимитируемых адсорбционно-десорбционными процессами на поверхности
материала. Показано, что оптимальное сочетание скорости травления и
шероховатости поверхности достигается в смеси HCl/Ar. В смесях с H2

2014, Т. 57, № 7, Стр. 50-55