Технология изготовления СВЧ пьезоэлектрических
преобразователей
на основе пленки AlN,
нанесенной на подложку из синтетического
монокристалла алмаза

Разработано и исследовано глубокое реактивное ионное травление
поверхности синтетического монокристаллического алмаза в двухступенчатом
процессе травления в плазме на основе SF₆ и покрытия защитной
пленкой в плазме на основе СF₄. Для контроля рельефа поверхности
алмазных образцов до и после обработки плазмой использована методика,
основанная на анализе частотной зависимости спектральной плотности мощности
экспериментальных изображений, полученных с помощью атомно-силовой микроскопии

Методом лазерной литографии и реактивного ионного травления на
поверхности монокристаллов синтетического алмаза получены рельефные структуры
высотой до 2 мкм. Определены скорости и селективности травления к алюминию и
хрому в плазмах различного газового состава. Наибольшая скорость реактивного
ионного травления (70 нм/мин) достигнута при использовании плазмы на основе
гексафторида серы, при этом наибольшая селективность травления (14) наблюдалась
к хрому.