Billups W.E.

МОДЕЛИРОВАНИЕ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА АМОРФНЫЙ УГЛЕРОД – АЛМАЗ, ИНДУЦИРОВАННОГО ИОНИЗИРУЮЩИМ ИЗЛУЧЕНИЕМ

С использованием метода классической молекулярной динамики, была исследована причина образования алмазных кластеров в аморфном углероде под действием  ониизирующего излучения. Показано, что активационный барьер перехода графитового кластера в алмазный будет иметь место только для кластеров с размером больше 14 нм, в то время как меньшие частицы могут быть получены только химической функционализацией графеносодержащих материалов, что хорошо согласуется с полученными экспериментальными данными.

2015, Т. 58, № 5, Стр. 22-24
Syndicate content