ФОРМИРОВАНИЕ НОВЫХ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ В ОСАЖДЕННЫХ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ АЛМАЗАХ

В осажденных из газовой фазы алмазах исследовано влияние изохронного
вакуумного отжига при температурах до 1680 °C на процессы
трансформации дефектов после облучения образцов быстрыми нейтронами либо
имплантации ионов изотопов водорода (энергия иона 350 кэВ, дозы (2–12)·1016
см-2). Установлено, что
границы зерен в поликристаллических алмазах существенно не влияют на процессы
отжига радиационных дефектов и графитизации. В спектрах фотолюминесценции обнаружены и исследованы ранее не
наблюдавшиеся в оптических спектрах алмазов полосы с максимумами на 580 нм, 730 нм и ряд полос в диапазоне 760–795
нм. Показано, что неоднородное распределение
фотолюминесцирующих центров окраски вдоль поверхности имплантированного слоя
обусловлено латеральной диффузией водорода (дейтерия) в области радиационного
повреждения.

Ключевые слова: алмаз, фотолюминесценция, центры окраски, ионная имплантация, нейтронное
облучение, отжиг

2013, Т. 56, № 5, Стр. 27-31