АНИЗОТРОПНЫЙ РОСТ АЛМАЗОГРАФИТОВОГО КОМПОЗИТНОГО МАТЕРИАЛА В СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОЙ ПЛАЗМЕ НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ

Показана возможность селективного осаждения углеродного материала на
участки подложки с различающейся электропроводностью, в условиях приложения
потенциала к участку с большей электропроводностью. Определено, что
исследованные алмазографитовые пленки обладают отрицательным температурным
коэффициентом сопротивления, при этом энергия активации проводимости изменяется
в диапазоне 0,26–1,45 эВ, зависящем от толщины пленки. Это связывается с
достижением порога перколяции.

Ключевые
слова: алмазографитовый композит, энергия активации,
перколяция, СВЧ плазма низкого давления

2013, Т. 56, № 7, Стр. 60-63