О ВОЗМОЖНОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ GaS, GaSe, GaTe В СИСТЕМАХ Ga2S3 (Se3,Te3) – GaI МЕТОДАМИ ...

О возможности выращивания монокристаллов GaS, GaSe, GaTe в системах Ga2S3 (Se3,Te3) – GaI методами химической транспортной реакции (ХТР)

Из результатов проведенных анализов установлено, что в системах Ga2S3 (Se3,Te3)-GaI при всех концентрациях GaI происходит восстановление Ga2S3, Ga2Se3 с образованием GaS, GaSe и разложение Ga2Te3.  При восстановлении одновременно из газовой фазы выращиваются монокристаллы GaS, GaSe. Однако в системе Ga2Te3-GaI происходит разложение Ga2Te3  и образуются разные фазы: TeI4, TeGa, GaI3.

2008, Т. 51, № 6, Стр. 106-108