Гейдаров Б.А.

О ВОЗМОЖНОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ GaS, GaSe, GaTe В СИСТЕМАХ Ga2S3 (Se3,Te3) – GaI МЕТОДАМИ ...

О возможности выращивания монокристаллов GaS, GaSe, GaTe в системах Ga2S3 (Se3,Te3) – GaI методами химической транспортной реакции (ХТР)

2008, Т. 51, № 6, Стр. 106-108

СИНТЕЗ СУЛЬФИДОВ ГАЛЛИЯ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА Ga2S3, ПОЛУЧЕННЫЕ КОСВЕННЫМ МЕТОДОМ СИНТЕЗА

 

В статье приведена методика получения  методом прямого синтеза  сульфидов галлия (GaS, Ga2S3), получения косвенным методом Ga2S3 и выращивания его монокристаллов из газовой фазы путем химической транспортной реакции, а также результаты измерений электрофизических свойств полученных монокристаллов  Ga2S3.

2008, Т. 51, № 7, Стр. 14-17
RSS-материал