Голованов А.В.

ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ ПЛЕНКИ AlN, НАНЕСЕННОЙ НА ПОДЛОЖКУ ...

Технология изготовления СВЧ пьезоэлектрических
преобразователей
на основе пленки AlN,
нанесенной на подложку из синтетического
монокристалла алмаза

2014, Т. 57, № 5, Стр. 17-21

ГЛУБОКОЕ РЕАКТИВНОЕ ИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ СИНТЕТИЧЕСКОГО АЛМАЗА

Разработано и исследовано глубокое реактивное ионное травление
поверхности синтетического монокристаллического алмаза в двухступенчатом
процессе травления в плазме на основе SF6 и покрытия защитной
пленкой в плазме на основе СF4. Для контроля рельефа поверхности
алмазных образцов до и после обработки плазмой использована методика,
основанная на анализе частотной зависимости спектральной плотности мощности
экспериментальных изображений, полученных с помощью атомно-силовой микроскопии

2014, Т. 57, № 5, Стр. 4-7

ФОРМИРОВАНИЕ РЕЛЬЕФНЫХ СТРУКТУР НА ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛОВ СИНТЕТИЧЕСКОГО АЛМАЗА МЕТОДОМ РЕАКТИВНОГО ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ

Методом лазерной литографии и реактивного ионного травления на
поверхности монокристаллов синтетического алмаза получены рельефные структуры
высотой до 2 мкм. Определены скорости и селективности травления к алюминию и
хрому в плазмах различного газового состава. Наибольшая скорость реактивного
ионного травления (70 нм/мин) достигнута при использовании плазмы на основе
гексафторида серы, при этом наибольшая селективность травления (14) наблюдалась
к хрому.

2013, Т. 56, № 7, Стр. 57-59