Буга С.Г.

ГЛУБОКОЕ РЕАКТИВНОЕ ИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ СИНТЕТИЧЕСКОГО АЛМАЗА

Разработано и исследовано глубокое реактивное ионное травление
поверхности синтетического монокристаллического алмаза в двухступенчатом
процессе травления в плазме на основе SF6 и покрытия защитной
пленкой в плазме на основе СF4. Для контроля рельефа поверхности
алмазных образцов до и после обработки плазмой использована методика,
основанная на анализе частотной зависимости спектральной плотности мощности
экспериментальных изображений, полученных с помощью атомно-силовой микроскопии

2014, Т. 57, № 5, Стр. 4-7

ВЛИЯНИЕ НАНОФРАГМЕНТИРОВАНИЯ И МОДИФИКАЦИИ ФУЛЛЕРЕНОМ ГЕРМАНИЯ НА ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА НАНОКОМПОЗИТА Gе-С60

В работе исследованы транспортные свойства германия,
нанофрагментированного и модифицированного фуллереном С60.
Обнаружены эффекты модуляции концентрации носителей заряда в зависимости от
размера кристаллитов германия в нанокомпозите и влияния фуллерена на механизм
переноса заряда. Присутствие фуллерена по границам зерен германия обеспечивает
дополнительное рассеяние фононов, что приводит к уменьшению теплопроводности.
Совокупность факторов наноструктурирования и модификации фуллереном в

2013, Т. 56, № 7, Стр. 63-67

ФОРМИРОВАНИЕ РЕЛЬЕФНЫХ СТРУКТУР НА ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛОВ СИНТЕТИЧЕСКОГО АЛМАЗА МЕТОДОМ РЕАКТИВНОГО ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ

Методом лазерной литографии и реактивного ионного травления на
поверхности монокристаллов синтетического алмаза получены рельефные структуры
высотой до 2 мкм. Определены скорости и селективности травления к алюминию и
хрому в плазмах различного газового состава. Наибольшая скорость реактивного
ионного травления (70 нм/мин) достигнута при использовании плазмы на основе
гексафторида серы, при этом наибольшая селективность травления (14) наблюдалась
к хрому.

2013, Т. 56, № 7, Стр. 57-59

ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СИНТЕТИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА С РАЗЛИЧНОЙ КОНЦЕНТРАЦИЕЙ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ БОРА

Проведено изучение электрофизических свойств синтетических HPHT
алмазов, легированных бором, с помощью исследования эффекта Холла в диапазоне
температур 77–800 K. Установлены зависимости удельного сопротивления и
концентрации легирующих примесей от количества бора в исходной ростовой смеси.

Ключевые слова: синтетический алмаз, полупроводник, эффект Холла

2013, Т. 56, № 7, Стр. 9-12