КИНЕТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОЦЕССОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ЭЛЕКТРОННОГО УДАРА В BCl3
Аннотация
Сформирован набор процессов под действием электронного удара и соответствующих им сечений для молекулы BCl3. Получены модельные данные по энергетическим распределениям электронов и константам скоростей процессов при электронном ударе.
Литература
Coburn J.W. Plasma etching and reactive ion etching. New York: AVS Monograph Series. 1982. 87 p.
Wolf S., Tauber R.N. Silicon Processing for the VLSI Era. Volume 1. Process Technology. New York: Lattice Press. 2000. 367 p.
Handbook of plasma processing technology. / Ed. by Rossnagel S. M., Cuomo J. J., Westwood W. D. New-Jersey: Park Ridge, Noyes Publications. 1990. 312 p.
Roosmalen A.J., Baggerman J.A.G., Brader S.J.H. Dry etching for VLSI. New-York: Plenum Press. 1991. 345 p.
Meeks E., Ho P., Ting A., Buss R.J. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1998. V. 16. P. 2227-2239.
Kim M., Min N.K., Yun S.J., Lee H.W., Efremov A., Kwon K.-H. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2008. V. 26. P. 344-351.
Kim M., Min N.K., Yun S.J., Lee H.W., Efremov A., Kwon K.-H. // Microelectronic Engineering. 2008. V. 85. P. 348-354.
Efremov A.M., Svettsov V.I., Smirnov A.A. // Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved. Khim. Khim. Tekhnol. 2009. V. 52. N 11. P. 48-51 (in Russian).
Lieberman M.A., Lichtenberg A.J. Principles of plasma discharges and materials processing. New York: John Wiley & Sons Inc. 1994. 450 p.
Nagpal R., Garscadden A. // Appl. Phys. Let. 1994. V. 64. P. 1626-1628.
Marriott J., Craggs J.D. // J. Electron. Control. 1957. V. 3. P. 194-202.
Tav C., Datskos P.G., Pinnduawage L.A. // J. Appl. Phys. 1998. V.84. P. 5805-5816.
Mosteller D.L., Andrews Jr. M.L., Clark J.D., Garscadden A. // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. P. 2247-2249.
Isaacs W.A., McCurdy C.W., Rescigno T.N. // Phys. Rev. A. 1998. V. 58. P. 2881-2886.
Petrovic Z.L., Wang W.C., Suto M., Han J.C., Lee L.C. // J. Appl. Phys. 1990. V. 67. P. 675-678.
Stockdale J.A., Nelson D.R., Davis F.J., Compton R.N. // J. Chem. Phys. 1972. V. 56. P. 3336-3341.
Christophorou L.G., Olthoff J.K. // J. Phys. Chem. Ref. Data. 2002. V. 31. P. 972-988.
Buchel’nikova I.S. // Sov. Phys. JETP. 1959. V. 35. P. 783-790.
